No solamente Huawei, SMIC y todo el financiamiento del gobierno chino está detrás de la «receta mágica» para poder contar con tecnología propia y lo más reciente posible, pues se ha informado que en esta carrera de «bloques» entre Occidente y Asia, ahora se suma ni más ni menos que Rusia.
El Ministerio de Industria y Comercio de Rusia y el ISTC MIET (uno de los más avanzados en la materia de ese país) han desarrollado un programa a gran escala para la sustitución de importaciones de equipos para la producción de productos electrónicos para 2030 y para lograrlo, Rusia lanzará 110 proyectos de OCR y gastará más de US$2.500 millones.
El programa de desarrollo de ingeniería electrónica prevé la sustitución de la importación de alrededor del 70 % de los equipos y materiales para la producción de microelectrónica para 2030.
Para este propósito, se lanzarán 110 trabajos de investigación y desarrollo (I+D) en Rusia, algunos de los cuales implican la creación de varias instalaciones y más de 50 organizaciones ya están involucradas en la implementación y considera equipos tecnológicos, materiales y productos químicos, sistemas de diseño asistidos por computador (CAD).
En Rusia, se utilizan al menos 400 modelos de equipos para la producción de microelectrónica y solo alrededor del 12 % de ellos «en el mejor de los casos» podrían producirse en el territorio de Rusia, señaló Petrenko.
Debido a las sanciones, por ejemplo, el equipo para montar componentes en placas de circuito impreso, el montaje de dispositivos finales, las pruebas y el control de calidad de los productos manufacturados ha aumentado en un 40-50%.
En el marco del programa de desarrollo de ingeniería electrónica, se planea desarrollar equipos domésticos para la producción de 20 rutas tecnológicas, incluyendo microelectrónica (de 180 a 28 nm), electrónica de microondas, fotónica, electrónica de potencia, producción de plantillas fotográficas y montaje de bases y módulos de componentes electrónicos, producción de electrónica pasiva, etc.
Para finales de 2026, está previsto crear litografías de banda UV para la producción de procesadores de acuerdo con los estándares topológicos de 350 nm y 130 nm, y una instalación para la litografía de haz de electrones para 150 nm.
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